以二维矩阵代表晶体某一表面，每一个数值代表某一晶粒或者晶粒部分的取向，按邻近和次邻近的接触，以取向差为判断计算界面能。按照随机变化后的体系总能量变化计算随机改变某一晶粒取向的可能性然后按照蒙特卡洛判断该“随机变化是否成立”。 最后经过多步计算可模拟晶粒长大过程。
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2021-6-27
以二维矩阵代表晶体某一表面，每一个数值代表某一晶粒或者晶粒部分的取向，按邻近和次邻近的接触，以取向差为判断计算界面能。按照随机变化后的体系总能量变化计算随机改变某一晶粒取向的可能性然后按照蒙特卡洛判断该“随机变化是否成立”。 最后经过多步计算可模拟晶粒长大过程。
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