MB85RC64了 FRAM（铁电随机存取记忆体）独立芯片配置了8192×8位，形成铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术非易失性内存中的细胞。 MB85RC64采用两线串行接口（与世界标准的I2C总线兼容）。与SRAM不同的MB85RC64是无需使用数据备份电池，能够保留数据。 MB85RC64的读写次数10亿次，与EPROM和FLASH相比，有显著的改善。而且不在向写完存储器后，不需要查询序列。
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MB85RC64V.c , 13761
2021-2-17
MB85RC64了 FRAM（铁电随机存取记忆体）独立芯片配置了8192×8位，形成铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术非易失性内存中的细胞。 MB85RC64采用两线串行接口（与世界标准的I2C总线兼容）。与SRAM不同的MB85RC64是无需使用数据备份电池，能够保留数据。 MB85RC64的读写次数10亿次，与EPROM和FLASH相比，有显著的改善。而且不在向写完存储器后，不需要查询序列。
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